现代信息技术利用材料中电子的电荷特性，集成电路、高频和大功率器件被成功开发并广泛应用，高容量
的信息存储器件，如硬盘、光盘、磁带等则是利用电子的自旋特性被成功开发并广泛应用。稀磁半导体基于将半导体材料与磁性材料结合，同时利用电子的电荷和自旋两种属性，将信息处理、存储和通讯融为一体，有希望为信息技术带来革命性的变化。
ZnO 基稀磁半导体材料相对其它半导体材料有许多独特的优点，如很宽的带隙 ( 约3.4 eV)、室温下很高的激子结合能 ( 约 60 meV)、很高的光学增益 (300 cm–1) 和极短的发光驰豫时间等等，这些特点使得 ZnO 基稀磁半导体材料不仅可能成为未来自旋电子器件的候选材料，还有可能在未来的光电子器件和磁光器件等领域得到广泛的应用。
本成果采用氧化生长方法制备透明氧化物稀磁半导体，氧化生长方法分步进行，更有利于控制生长条件，考察掺杂元素的扩散行为和缺陷形成过程，探索磁性来源。在这一过程中，氧气的吸附反应、掺杂元素分布状态变化、晶粒和晶界变化等因素可能改变薄膜内空位缺陷的种类和数量，从而影响其铁磁性。目前采用该方法所制备的掺杂 ZnO 薄膜均具有室温铁磁性，并且饱和磁化强度 Ms 维持在 10-5 量级上，与所报
道文献一致，但可以获得了较高的矫顽力 Hc，可达 226.3 Oe。
本成果可应用于新型纳米结构和可控磁、电性氧化物磁性半导体薄膜的生产过程。